Infineon FRAM 2 MB, 256 KB x 8 bit 11 ns SPI Oberfläche DFN 8-Pin

2 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) logisch Organisiert als 256 K x 8 10 Trillionen (1014) Lesen/Schreiben mit hoher Lebensdauer 121 Jahre Datenspeicherung NODELAY ® schreibt Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI) Bis zu 33 MHz Frequenz Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1) Ausgeklügeltes Schreibschutzschema Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP) Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array Geräte-ID Hersteller-ID und Produkt-ID Geringer Stromverbrauch 3 mA Wirkstrom bei 33 MHz Standby-Strom: 400° 1 A 12° A Ruhestrom Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V Erweiterte Temperatur: -40 °C bis +105 °C. 8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)