Infineon FRAM 16 kB, 2K x 8 bit Oberfläche SOIC 8-Pin

Ferroelektrischer 16-Kbit-Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 2K x 8 Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014) 151 Jahre Datenspeicherung (siehe Datenspeicherung und -dauer auf Seite 10) NODELAY ® schreibt Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess Schnelle 2-adrige serielle Schnittstelle (I2C) Bis zu 1 MHz Frequenz Direkter Hardware-Ersatz für seriellen (I2C) EEPROM Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz Geringer Stromverbrauch 100° A Wirkstrom bei 100 kHz Standby-Strom von 3° A (typ.) Spannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,65 V Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C. Gehäuse 8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit) 8-poliges DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)