Infineon FRAM 128 kB 450 ns Oberfläche SOIC 8-Pin

128-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) Logisch organisiert als 16K x 8 Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014) 151 Jahre Datenspeicherung NODELAY ® schreibt Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess I Schnelle serielle Zweidraht-Schnittstelle (I 2C) Bis zu 3,4 MHz Frequenz [1] Direkter Hardware-Ersatz für seriellen EEPROM Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz Geräte-ID Hersteller-ID und Produkt-ID Geringer Stromverbrauch 175-√A Wirkstrom bei 100 kHz 150-94 A Standby-Strom Strom im Ruhemodus: 8-94 A. Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C. 8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)