Infineon Dualer N-Kanal OptiMOSTM Typ N-Kanal 2 MOSFET & Diode 30 V / 40 A 2.5 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

6.7nC

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

40A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

2.5W