Infineon Dual-N-Kanal-Normalpegel-Anreicherungsmodus IPG16N10S4-61 Typ N-Kanal MOSFET 100 V Zweifach N / 16 A 29 W,
Technische Daten
- Automobilstandard
- AEC-Q101
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Zweifach N
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 5.4nC
- Gehäusegröße
- SuperSO8 5 x 6
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 16A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 29W
- Normen/Zulassungen
- RoHS, AEC Q101
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IPG16N10S4-61
- Transistor-Konfiguration
- Dual-N-Kanal-Normalpegel-Anreicherungsmodus
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 16A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6
Pinanzahl = 8
Channel-Modus = Zweifach N
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 5.4nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS, AEC Q101
Automobilstandard = AEC-Q101
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
Alle Angebote
| 12 Monate | 0,46 € 0,55 € inkl. MwSt.* | Bestes Angebot | Maximal 10000 verfügbar | ||
| 12 Monate | 1,66 € 1,98 € inkl. MwSt.* |
* zzgl. Versandkosten