Infineon Doppelt OptiMOS Typ P, Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET-Arrays 30 V Erweiterung / 2.3 A 0.6 W, 6-Pin TSOP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

57mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

-5nC

Gehäusegröße

TSOP

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

2.3A

Maximale Betriebstemperatur

150°C