Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal MOSFET 55 V Erweiterung / 20 A 65 W, 8-Pin TDSON

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

55V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

35mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

18nC

Gehäusegröße

TDSON

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

20A

Maximale Betriebstemperatur

175°C