Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET-Arrays 60 V Erweiterung / 20 A 33 W, 8-Pin TDSON

Name: Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET-Arrays 60 V Erweiterung / 20 A 33 W, 8-Pin TDSON
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPG20N06S4L26AATMA1

Produkt-Nr.: P-DRCTCF-DRVHMN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 26mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 15nC
Gehäusegröße: TDSON
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 20A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 33W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET-Arrays
Serie: OptiMOS

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET-Arrays
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 20A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = TDSON
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 26mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 33W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 5.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101