Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 55 V Erweiterung / 5 A 2 W, 8-Pin DSO

Name: Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 55 V Erweiterung / 5 A 2 W, 8-Pin DSO
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSO604NS2XUMA1

Produkt-Nr.: P-DRJCFL-DR367X

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 55V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 35mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 19.7nC
Gehäusegröße: DSO
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 5A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 2W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 5A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 55V
Gehäusegröße = DSO
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 35mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 2W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.47mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101