Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 40 A 2.5 W, 8-Pin TISON-8

Name: Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 40 A 2.5 W, 8-Pin TISON-8
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSC0910NDIATMA1

Produkt-Nr.: P-DRFFNK-DRSHWT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 25V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 5.9mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.87V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 23nC
Gehäusegröße: TISON-8
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 40A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 2.5W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS

Produktbeschreibung

Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen. Die zweifach-N-Kanal OptiMOS MOSFETs werden halogenfrei gemäß IEC61249-2-21 und bleifreie Kabelbeschichtung geliefert Erfüllt RoHS.Monolithische integrierte Schottky-Diode Optimiert für Hochleistungs-Abwärtswandler 100%ig auf Stoßentladung geprüft

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