Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 55 V Erweiterung / 20 A 43 W, 8-Pin TDSON
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 55V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 65mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 9.4nC
- Gehäusegröße
- TDSON
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 20A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 43W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Leistungs-Transistor
- Serie
- OptiMOS
Produktbeschreibung
Der Zweifach-N-Kanal-MOSFET der Infineon OptiMOS-Serie hat eine Ableitungs-/Quellspannung von 55 V. Sie bietet Vorteile einer größeren Quellkabelrahmenverbindung für die Drahtbindung und eine Klebeverbindung von 200 μm für bis zu 20 A Strom.Kfz AEC Q101 zugelassen • MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow • Betriebstemperatur: 175 °C. • Grünes Gehäuse • Sehr niedrige Rds • 100 % Lawinenprüfung
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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