Infineon Doppelt OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 100 V Erweiterung / 20 A 43 W, 8-Pin TDSON

Name: Infineon Doppelt OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 100 V Erweiterung / 20 A 43 W, 8-Pin TDSON
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPG20N10S436AATMA1

Produkt-Nr.: P-DRCF43-DRVMZT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 36mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 9.4nC
Gehäusegröße: TDSON
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 20A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 43W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: Leistungs-Transistor
Serie: OptiMOS-T2

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Leistungs-Transistor
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 20A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = TDSON
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 36mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 43W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 1mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101