Infineon Doppelt IRF7343PbF Typ P, Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 55 V Entleerung / 4.7 A 2 W, 8-Pin SO-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Entleerung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 55V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 170mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.96V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 24nC
- Gehäusegröße
- SO-8
- Kabelkanaltyp
- Typ P, Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 4.7A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 2W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IRF7343PbF
Produktbeschreibung
Der Infineon IRF7343 ist der zweifache N- und P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit 55 V in einem SO-8-Gehäuse.RoHS-kompatibel Niedriger RDS (EIN) Dynamische dv/dt-Bewertung Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043823034
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