Infineon Doppelt IPG Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 20 A 41 W, 8-Pin SuperSO

Name: Infineon Doppelt IPG Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 20 A 41 W, 8-Pin SuperSO
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPG20N04S4L11AATMA1

Produkt-Nr.: P-DRGD4Y-DR2DKN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 11.6mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 20nC
Gehäusegröße: SuperSO
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 20A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 41W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: Leistungs-Transistor
Serie: IPG

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Leistungs-Transistor
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 20A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = SuperSO
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 11.6mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 41W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 1mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101