Infineon Doppelt HEXFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 8 A 2 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

32mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

13nC

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

8A

Maximale Betriebstemperatur

150°C