Infineon Doppelt HEXFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 8 A 2 W, 8-Pin SOIC
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 32mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 13nC
- Gehäusegröße
- SOIC
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 8A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 2W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = SOIC
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 32mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 2W
Höhe = 1.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043368856
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