Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 55 V Erweiterung / 5.1 A, 8-Pin SO-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 55V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 500mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 29nC
- Gehäusegröße
- SO-8
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 5.1A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
- Transistor-Konfiguration
- Doppelt
Produktbeschreibung
Der Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET in einem dualen SO-8-Gehäuse nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Das effiziente SO-8-Gehäuse bietet verbesserte thermische Eigenschaften und eine zweifache MOSFET-Matrizenfähigkeit und ist daher ideal für eine Vielzahl von Stromversorgungsanwendungen.Advanced Planar Technology Dynamische dV/dT-Nennleistung Logikebenen-Gate-Ansteuerung 175 °C Betriebstemperatur Schnelle Schaltgeschwindigkeit Ohne Leitung RoHS-konform Für Kraftfahrttechnik geeignet
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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