Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 6.6 A 2 W, 8-Pin SO-8

Name: Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 6.6 A 2 W, 8-Pin SO-8
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRF7311TRPBF

Produkt-Nr.: P-DRFNNH-DR3SDK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 20V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 29mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.72V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 18nC
Gehäusegröße: SO-8
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 6.6A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 2W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 6.6A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Serie = HEXFET
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 29mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung Vf = 0.72V
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = Nomm
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Automobilstandard = Nein