Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 10 A 2 W, 8-Pin SO-8

Name: Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 10 A 2 W, 8-Pin SO-8
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRF8910TRPBF

Produkt-Nr.: P-DRFNNM-DR3SDP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 20V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 13.4mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 7.4nC
Gehäusegröße: SO-8
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 10A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 2W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: Leistungs-MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Der Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET hat eine maximale 20-V-Drain-Quellspannung in einem SO-8-Gehäuse. Es hat Anwendung als zweifacher SO-8 MOSFET für POL-Wandler in Desktop-, Server-, Grafikkarten-, Spielkonsolen- und Set-Top-Box.Bleifrei Niedriger RDS (EIN) Besonders niedrige Gate-Impedanz Zweifacher N-Kanal-MOSFET

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