Infineon DirectFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 198 A 96 W, 4-Pin MX

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.4mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

141nC

Gehäusegröße

MX

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

198A

Maximale Betriebstemperatur

150°C