Infineon DirectFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 270 A 3.8 W DirectFET

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

220nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

±20 V

Gehäusegröße

DirectFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

270A

Maximale Betriebstemperatur

175°C