Infineon DirectFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 25 A 42 W, 3-Pin DirectFET

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

35mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

20nC

Gehäusegröße

DirectFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

25A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

42W