Infineon DirectFET, HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 86 A 89 W, 4-Pin MN

Name: Infineon DirectFET, HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 86 A 89 W, 4-Pin MN
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRF6648TRPBF

Produkt-Nr.: P-DRFGX3-DR377M

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -40°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 7mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 36nC
Gehäusegröße: MN
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 86A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 89W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 4
Produkt Typ: MOSFET
Serie: DirectFET, HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 86A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = MN
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 7mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 89W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 0.5mm
Automobilstandard = Nein