Zum Hauptinhalt springen

Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 98 A 384 W, 7-Pin PG-TO263-7

INFINEON Logo

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: AIMBG75R016M1HXTMA1

Produkt-Nr.: P-CZKSLB-CZTKCG

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
750V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
22mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
81nC
Gehäusegröße
PG-TO263-7
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
98A
Maximale Betriebstemperatur
175°C
Maximale Verlustleistung (Pd)
384W

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 98A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 750V
Gehäusegröße = PG-TO263-7
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 22mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 81nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = AEC-Q101

Produktangebot

20,60 €

24,51 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Nicht vorrätig
Zustand: Neu
Garantie: 12 Monate

Sichere Zahlung

VISA Logo
Mastercard Logo
American Express Logo
SEPA Überweisung Logo
Rechnung

Schneller Versand

DHL Express Logo
FedEx Logo
UPS Logo

etc.

Fragen zum Produkt?

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET