Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 81 A 326 W, 7-Pin PG-TO263-7
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 750V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 27mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 70nC
- Gehäusegröße
- PG-TO263-7
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 81A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 326W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- RoHS
- Pinanzahl
- 7
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- CoolSiC
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 81A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 750V
Gehäusegröße = PG-TO263-7
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 27mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 70nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET