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Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 24 A 128 W, 22-Pin PG-HDSOP-22

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IMDQ75R090M1HXUMA1

Produkt-Nr.: P-DRHK8H-DR2YX4

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
750V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
117mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
15nC
Gehäusegröße
PG-HDSOP-22
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
24A
Maximale Betriebstemperatur
175°C
Maximale Verlustleistung (Pd)
128W

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 24A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 750V
Gehäusegröße = PG-HDSOP-22
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 22
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 117mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 15nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET