Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 24 A 128 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 750V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 117mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 15nC
- Gehäusegröße
- PG-HDSOP-22
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 24A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 128W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- RoHS
- Pinanzahl
- 22
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- CoolSiC
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 24A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 750V
Gehäusegröße = PG-HDSOP-22
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 22
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 117mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 15nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET