Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 26 A 138 W, 8-Pin PG-HSOF-8

Name: Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 26 A 138 W, 8-Pin PG-HSOF-8
Brand: INFINEON
Price: 5.91 EUR
Availability: InStock

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IMT65R107M1HXUMA1

Produkt-Nr.: P-DRHK8K-DRXJD8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 141mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 15nC
Gehäusegröße: PG-HSOF-8
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 26A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 138W
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: RoHS
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: CoolSiC

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 26A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Gehäusegröße = PG-HSOF-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 141mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 15nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = Nein

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