Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 115 A 416 W, 7-Pin PG-TO263-7

Name: Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 115 A 416 W, 7-Pin PG-TO263-7
Brand: INFINEON
Price: 16.28 EUR
Availability: InStock

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IMBG65R015M2HXTMA1

Produkt-Nr.: P-CZKSM7-CZTKFD

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 18mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 79nC
Gehäusegröße: PG-TO263-7
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 115A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 416W
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: RoHS
Pinanzahl: 7
Produkt Typ: MOSFET
Serie: CoolSiC

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 115A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Gehäusegröße = PG-TO263-7
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 18mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 79nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = Nein

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