Infineon CoolSiC N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 74 A 187 W, 16-Pin PG-HDSOP-16

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

95mΩ

Durchlassspannung (Vf)

4.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

21nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

25V

Gehäusegröße

PG-HDSOP-16

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

74A