Infineon CoolSiC N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 650 V / 30 A 694 W, 4-Pin Band und Rolle

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

17mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

236nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30V

Gehäusegröße

Band und Rolle

Höhe

2.35mm

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

30A

Maximale Betriebstemperatur

175°C