Infineon CoolMOSTM8thgeneration Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 65 A 338 W, 22-Pin PG-HDSOP-22

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

37mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

79nC

Gehäusegröße

PG-HDSOP-22

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

65A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

338W