Infineon CoolMOS^TM, Oberfläche MOSFET 650 V / 11 A, 3-Pin TO-220
Technische Daten
- Automobilstandard
- Nein
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.38Ω
- Gehäusegröße
- TO-220
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 11A
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- CoolMOS^TM
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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