Infineon CoolMOS^TM, Oberfläche MOSFET 650 V / 11 A, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.38Ω

Gehäusegröße

TO-220

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

11A

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

No

Pinanzahl

3

Produkt Typ

MOSFET

Serie

CoolMOS^TM