Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 700 V / 25 A, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Channel-Modus

P

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

700V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

90mΩ

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

25A

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

No

Pinanzahl

3