Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 7 W, 3-Pin SOT-223
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 800V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 2Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 10nC
- Gehäusegröße
- SOT-223
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 4A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 7W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- CoolMOS
Produktbeschreibung
Die Infineon Serie 950V Cool MOS TM P7 wurde entwickelt, um den wachsenden Verbraucheranforderungen in der Hochspannungs-MOSFETs-Arena gerecht zu werden. Die neueste 950-V Cool MOS TM P7-Technologie konzentriert sich auf den energiesparenden SMPS-Markt. Mit 50 V mehr Sperrspannung als sein Vorgänger 900 V Cool MOS TM C3 bietet die Serie 950V Cool MOS TM P7 eine hervorragende Leistung in Bezug auf Effizienz, thermisches Verhalten und Benutzerfreundlichkeit. Wie alle anderen P7-Familienmitglieder verfügt die Cool MOS TM P7-Serie 950V über einen integrierten Zenerdiode-ESD-Schutz. Die integrierte Diode verbessert die ESD-Robustheit erheblich, reduziert so ESD-bedingte Ertragverluste und erreicht außergewöhnliche Benutzerfreundlichkeit. Cool MOS TM P7 wurde mit klassenbesten VGS(der) von 3 V und einer engen Toleranz von nur ±0,5 V entwickelt, was das Einfahren und Design erleichtert.Best-in-Class FOMRDS(on) * Eoss Reduzierte Qg, Ziss und Coss Erstklassiger SOT-223 RDS(on) Beste Qualität und Zuverlässigkeit von Cool MOS Vollständig optimiertes Portfolio
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etc.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET