Zum Hauptinhalt springen

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 7 W, 3-Pin SOT-223

INFINEON Logo

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPN95R2K0P7ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRB4ZR-DR3SBZ

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
800V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
2Ω
Durchlassspannung (Vf)
0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
10nC
Gehäusegröße
SOT-223
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
4A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Die Infineon Serie 950V Cool MOS TM P7 wurde entwickelt, um den wachsenden Verbraucheranforderungen in der Hochspannungs-MOSFETs-Arena gerecht zu werden. Die neueste 950-V Cool MOS TM P7-Technologie konzentriert sich auf den energiesparenden SMPS-Markt. Mit 50 V mehr Sperrspannung als sein Vorgänger 900 V Cool MOS TM C3 bietet die Serie 950V Cool MOS TM P7 eine hervorragende Leistung in Bezug auf Effizienz, thermisches Verhalten und Benutzerfreundlichkeit. Wie alle anderen P7-Familienmitglieder verfügt die Cool MOS TM P7-Serie 950V über einen integrierten Zenerdiode-ESD-Schutz. Die integrierte Diode verbessert die ESD-Robustheit erheblich, reduziert so ESD-bedingte Ertragverluste und erreicht außergewöhnliche Benutzerfreundlichkeit. Cool MOS TM P7 wurde mit klassenbesten VGS(der) von 3 V und einer engen Toleranz von nur ±0,5 V entwickelt, was das Einfahren und Design erleichtert.Best-in-Class FOMRDS(on) * Eoss Reduzierte Qg, Ziss und Coss Erstklassiger SOT-223 RDS(on) Beste Qualität und Zuverlässigkeit von Cool MOS Vollständig optimiertes Portfolio

Produktangebot

0,24 €

0,29 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Nicht vorrätig
Zustand: Neu
Garantie: 12 MonateMindestbestellmenge: 20Mengenintervall: 20

Sichere Zahlung

VISA Logo
Mastercard Logo
American Express Logo
SEPA Überweisung Logo
Rechnung

Schneller Versand

DHL Express Logo
FedEx Logo
UPS Logo

etc.

Fragen zum Produkt?

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET