Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 32 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

800V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

140mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

10nC

Gehäusegröße

TO-220

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

4A

Maximale Betriebstemperatur

150°C