Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 8.5 A 43.1 W, 3-Pin TO-251
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 700V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 600mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 10.5nC
- Gehäusegröße
- TO-251
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 8.5A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 43.1W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- CoolMOS
Produktbeschreibung
Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten istProduktvalidierung gemäß JEDEC-Standard Geringe Schaltverluste (Eoss) Integrierte ESD-Schutzdiode Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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