Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 41 A 63 W, 3-Pin TO-220
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 700V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 225mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 20nC
- Gehäusegröße
- TO-220
- Höhe
- 4.57mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 41A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 63W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- CoolMOS
Produktbeschreibung
Die Infineon CoolMOS C7 Superjunction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der das weltweit niedrigste RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS- und Solarwechselrichteranwendungen Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse Niedrige Schaltverluste Bessere Effizienz bei geringer Last Erhöhung der Leistungsdichte
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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