Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A 51 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

280mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

18nC

Gehäusegröße

TO-252

Höhe

2.41mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

9A

Länge

6.73mm