Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 77.5 A 481 W, 3-Pin TO-247

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

41mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

170nC

Gehäusegröße

TO-247

Höhe

5.21mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

77.5A