Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 37.9 A, 3-Pin TO-220
Technische Daten
- Automobilstandard
- Nein
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 99mΩ
- Gehäusegröße
- TO-220
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 37.9A
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- CoolMOS
Produktbeschreibung
Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Cool MOS TM P6-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Die angebotenen Geräte bieten alle Vorteile eines schnellen SJ-MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit. Extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler.Erhöhte MOSFET-dv/dt-Robustheit Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOM Rdson * Qg und Eoss Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit Bleifreie Beschichtung halogenfreie Formmasse
Produktangebot
Sichere Zahlung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
Alle Angebote
| 12 Monate | 2,46 € 2,93 € inkl. MwSt.* | Bestes Angebot | Maximal 850 verfügbar | ||
| 12 Monate | 4,71 € 5,60 € inkl. MwSt.* |
* zzgl. Versandkosten