Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31.2 A 277.8 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

110mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

110nC

Gehäusegröße

TO-220

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

31.2A

Maximale Betriebstemperatur

150°C