Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Automobilstandard
- Nein
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 99mΩ
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 31A
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- CoolMOS
Produktbeschreibung
Das Infineon Design von Cool MOS TM C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V Cool MOS TM C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Der 600 V C7 ist die erste Technologie, die jemals mit RDS(on) * A unter 1 Ohm * mmmmmmmmmmmmmm² verwendet wurde.Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und Hochleistungs-LLC) Erhöhte MOSFET dv/dt-Robustheit bis 120 V/ns Erhöhte Effizienz durch Best-in-Class-FOM RDS(on) * Eoss und RDS(on) * Qg Erstklassiger RDS(on) /package
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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