Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 129 W, 3-Pin TO-263

Name: Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 129 W, 3-Pin TO-263
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPB65R095C7ATMA2

Produkt-Nr.: P-DRFVM3-DRRK5P

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 95mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 51nC
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 24A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 129W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: CoolMOS

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 24A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Gehäusegröße = TO-263
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 95mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 51nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 10.31mm
Automobilstandard = Nein