Zum Hauptinhalt springen

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 12 A 53 W, 3-Pin TO-252

INFINEON Logo

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPD60R280P7ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRFPHL-DR37BD

Technische Daten

Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
280mΩ
Durchlassspannung (Vf)
0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
18nC
Gehäusegröße
TO-252
Höhe
2.41mm
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
12A
Länge
6.73mm

Produktbeschreibung

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für ″Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren″. MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. ″Feldeffekt″ bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.Green Product (RoHS-konform) MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen

Produktangebot

Bestes Angebot

1,21 €

1,44 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Lieferzeit ca. 1 Tag
Zustand: Neu
Garantie: 12 MonateMindestbestellmenge: 10Mengenintervall: 10
Maximal 1690 verfügbar

Sichere Zahlung

VISA Logo
Mastercard Logo
American Express Logo
SEPA Überweisung Logo
Rechnung

Schneller Versand

DHL Express Logo
FedEx Logo
UPS Logo

etc.

Fragen zum Produkt?

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

Alle Angebote

Neu
ca. 1 Tag
12 Monate

1,21 €

1,44 € inkl. MwSt.*

Bestes Angebot
Maximal 1690 verfügbar
Neu
Nicht vorrätig
12 Monate

0,53 €

0,63 € inkl. MwSt.*

* zzgl. Versandkosten