Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 76 A 255 W, 4-Pin TO-247
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 600V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 37mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 121nC
- Gehäusegröße
- TO-247
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 76A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 255W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- CoolMOS
Produktbeschreibung
Das Infineon Design der Cool MOS/7-Plattform ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde.Ausgezeichnete ESD-Robustheit >von 2 kV (HBM) für alle Produkte Deutliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten Ausgezeichnete ESD-Robustheit >von 2 kV (HBM) für alle Produkte
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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