Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 900 V / 15 A 208 W, 3-Pin TO-263

Name: Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 900 V / 15 A 208 W, 3-Pin TO-263
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPB90R340C3ATMA2

Produkt-Nr.: P-DRFJKB-DRVM47

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 900V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 340mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 94nC
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 15A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 208W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET & Diode
Serie: CoolMOS

Produktbeschreibung

Der Infineon 900V Cool MOS C3 ist die dritte Serie von Cool MOS von Infineon mit Markteintritt im Jahr 2001. C3 ist das ″Arbeitspferd″ des Portfolios.Niedriger spezifischer Betriebswiderstand (RDS(on) * A) Sehr geringe Energiespeicherung in Ausgangskapazität (Eoss) bei 400 V Niedrige Gate-Ladung (Qg) Bewährte Cool MOS TM-Qualität

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