Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 145 A, 3-Pin TO-263

Name: Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 145 A, 3-Pin TO-263
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPB65R065C7ATMA2

Produkt-Nr.: P-DRFJJ3-DRVM4Z

Technische Daten

Automobilstandard: Nein
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 700V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 65mΩ
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 145A
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: No
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET & Diode
Serie: CoolMOS

Produktbeschreibung

Die Infineon Cool MOS C7 Super Junction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.650 V Spannung Revolutionäres Best-in-Class R DS(on)/Gehäuse Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (Eoss) Niedrigere Gate-Ladung Qg. Platzsparend durch Einsatz kleinerer Gehäuse oder Reduzierung von Teile

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