Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 51 A 76 W, 3-Pin TO-252

Der Infineon 600 V Cool MOS CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die Cool MOS 7-Serie kompletzt. Cool MOS CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.Ultraschnelle Gehäusediode Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr) Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit Niedrigster FOM RDS(on) x Qg und Eoss Erstklassige RDS(on)/Gehäusekombinationen Erstklassige Robustheit bei harter Kommutierung Höchste Zuverlässigkeit für resonante Topologien Höchste Effizienz mit herausragendem Bedienkomfort/Leistungs-Kompromiss Ermöglicht Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte