Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 6 A 7 W, 3-Pin SOT-223

Name: Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 6 A 7 W, 3-Pin SOT-223
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPN95R1K2P7ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRBHMB-DRP7HC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 950V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 120mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 15nC
Gehäusegröße: SOT-223
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 6A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 7W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: CoolMOS P7

Produktbeschreibung

Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 6A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 950V
Gehäusegröße = SOT-223
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 120mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 15nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 6.7mm
Automobilstandard = Nein